Laboratorium technologiczne MBE z kontrolą jakości wytwarzanych struktur: SIMS
Laboratorium technologiczne MBE i kontroli jakości nanostruktur
Pracownicy:
Prof. dr hab. Eugeniusz Szeregij – prof. zw., Dyrektor, Kierownik Laboratorium
prof. dr hab. Mikołaj Berczenko – prof. zw.
dr Charles Becker – prof. wizytujący
dr Ireneusz Stefaniuk – st. wykl., zast. Dyrektora ds. dydakt..
mgr Małgorzata Trzyna – asystent
mgr Mariusz Woźny – asystent
mgr Jakub Grendysa – pracownik naukowo-techniczny
mgr Marek Witalec– pracownik inżynieryjno-administracyjny
Podwójny reaktor Double RIBER COMPACT 21 Spektrometr masowy TOF-SIMS
Laboratorium zawiera instalację Double RIBER COMPACT 21 wraz z kontrolom jakości otrzymanych struktur: Spektroskopią Masową Wtórnych Jonów – TOF-SIMS, która pozwalała na kontrolę składu z dokładnością do 1018 cm-3.
W Laboratorium została opanowana technologia wzrostu warstw MCT zawierających punkt Diraka, w tym nanostruktur na ich bazie. Jest to jeden z najgorętszych problemów współczesnej fizyki półprzewodników – topologiczne izolatory – nowy kwantowy stan substancji.
PRODUCING OF STRONG TOPOLOGICAL INSULATORS BASED ON SEMIMETALIC HgCdTe
W Laboratorium została opanowana też technologia wzrostu manostruktur na bazie HgCdTe
Deep profile of grown nanostructure: the QW from HgCdTe is seen at 120 nm.
Technologia ta zostanie wdrożona w przemysł w celu produkcji wysokoczułych i nad szybkich kamer termowizyjnych – Patent nr P.403346.
Projekt:
Wpływ punktu Diraca na stany elektronowe i fonowe w nanostrukturach na bazie związków półprzewodnikowych HgCdTe, HgZnTe, nr WND-RPPK.01.03.00-18-053/12. Źródło finansowania: Regionalny Program Operacyjny Województwa Podkarpackiego na lata 2007 – 2013, 2 971 206 zł.
Publikacje:
G. Tomaka, J. Grendysa, P. ´ Sli˙z, C. R. Becker, J. Polit, R. Wojnarowska, A. Stadler, and E. M. Sheregii, High-temperature stability of electron transport in semiconductors with strong spin-orbital interaction, PHYSICAL REVIEW B 93, 205419 (2016).