Laboratorium technologiczne MBE z kontrolą jakości wytwarzanych struktur: SIMS

 

Laboratorium technologiczne MBE i kontroli jakości nanostruktur

Pracownicy:

Prof. dr hab. Eugeniusz Szeregij – prof. zw., Dyrektor, Kierownik Laboratorium

prof. dr hab. Mikołaj Berczenko – prof. zw.

dr Charles Becker – prof. wizytujący

dr Ireneusz Stefaniuk st. wykl., zast. Dyrektora ds. dydakt..

mgr Małgorzata Trzyna – asystent

mgr Mariusz Woźny – asystent

mgr Jakub Grendysa – pracownik naukowo-techniczny

mgr Marek Witalec– pracownik inżynieryjno-administracyjny

 

 

             Podwójny reaktor Double RIBER COMPACT 21                            Spektrometr masowy TOF-SIMS

 

Laboratorium zawiera instalację Double RIBER COMPACT 21 wraz z kontrolom jakości otrzymanych struktur: Spektroskopią Masową Wtórnych Jonów – TOF-SIMS, która pozwalała na kontrolę składu z dokładnością do 1018 cm-3.

W Laboratorium została opanowana technologia wzrostu warstw MCT zawierających punkt Diraka, w tym nanostruktur na ich bazie.  Jest to jeden z najgorętszych problemów współczesnej fizyki półprzewodników – topologiczne izolatory – nowy kwantowy stan substancji.

PRODUCING OF STRONG TOPOLOGICAL INSULATORS BASED ON SEMIMETALIC HgCdTe

 

W Laboratorium została opanowana też technologia wzrostu manostruktur na bazie HgCdTe

Deep profile of grown nanostructure: the QW from HgCdTe is seen at 120 nm.

 

Technologia ta zostanie wdrożona w przemysł w celu produkcji wysokoczułych i  nad szybkich kamer termowizyjnych –  Patent nr P.403346.

 

Projekt:

Wpływ punktu Diraca na stany elektronowe i fonowe w nanostrukturach na bazie związków półprzewodnikowych HgCdTe, HgZnTe, nr WND-RPPK.01.03.00-18-053/12. Źródło finansowania: Regionalny Program Operacyjny Województwa Podkarpackiego na lata 2007 – 2013, 2 971 206 zł.

 

 Publikacje:

G. Tomaka, J. Grendysa, P. ´ Sli˙z, C. R. Becker, J. Polit, R. Wojnarowska, A. Stadler,  and E. M. Sheregii, High-temperature stability of electron transport in semiconductors with strong spin-orbital interaction, PHYSICAL REVIEW B 93, 205419 (2016).

 

 

                                                          

                                                          

                                                          

 

 

Polski